실리콘 카바이드 전력 반도체 시장 분석
실리콘 카바이드 전력 반도체는 유리 용융, 비철 금속 용융, 금속 열처리, 플로트 유리 제조, 가스 히터 파일럿 라이트 점화기, 세라믹 및 전자 부품 제조 등 다양한 상업 및 산업 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 태양 에너지 기술 사무소(SETO)는 태양광 에너지 발전에서 반도체 실리콘 카바이드(SiC)의 이해와 사용을 증진하기 위한 연구 개발 프로젝트를 크게 지원합니다. 실리콘 카바이드 전력 반도체는 풍력 터빈의 에너지를 절약하고 시스템 크기와 수명 비용을 줄이는 데에도 도움이 됩니다.전기 자동차는 주행 거리, 충전 시간, 성능 향상 등 자동차 산업 내에서 고객의 기대에 부응하는 특정 이점을 제공합니다. 그러나 고온에서 효율적이고 효과적으로 작동할 수 있는 전력 전자 장치가 필요합니다. 따라서 광대역 갭 SiC 기술을 사용하여 전력 모듈을 개발하고 있습니다.
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주요 시장 동향
에너지 효율성을 위한 SiC 반도체의 채택, 상업 및 산업 응용 분야에서 실리콘 카바이드 전력 반도체의 보급 증가, 군사 응용 분야에서 실리콘 카바이드 전력 반도체의 사용 증가, 미사일 응용 분야에서 실리콘 카바이드 전력 반도체의 사용 증가, 재생 에너지 발전 분야에서 실리콘 카바이드 전력 반도체에 대한 수요 증가는 실리콘 카바이드 전력 반도체 시장의 성장을 이끄는 주요 요인입니다. 실리콘 카바이드 반도체는 높은 전압 작동, 넓은 온도 범위, 그리고 증가된 스위칭 주파수를 제공하여 에너지 효율을 향상시킬 수 있습니다.인피니언 테크놀로지스와 글로벌 자동차 제조업체 스텔란티스가 실리콘 카바이드(SiC) 반도체에 대한 다년간의 공급 협력을 위한 구속력 없는 협력 계약을 체결했습니다. 인피니언은 10년 하반기에 제조 능력을 확보하고 스텔란티스의 직접 티어 1 공급업체에 쿨SiC '베어 다이' 칩을 공급할 예정입니다.
실리콘 카보이드 파워 반도체 시장 세그먼트
최종 사용 산업을 기준으로 전력 전자 제품 카테고리는 SiC의 넓은 밴드갭(또는 에너지 갭)을 고려할 때 최대 시장 점유율을 차지할 것으로 예상되며, 이는 장치가 200°C까지 견딜 수 있어 고출력 애플리케이션에 적합합니다. SiC의 넓은 밴드갭은 전자 장치를 더 작고, 더 빠르게 실행되며, 다른 반도체보다 높은 온도, 전압, 주파수에서 애플리케이션을 작동시킬 수 있게 해줍니다. 따라서 최근 몇 년 동안 수많은 SiC 기반 전력 장치가 개발되었습니다.
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경쟁 환경
실리콘 카바이드 전력 반도체 시장의 주요 제조업체로는 Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co., Ltd., Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation, Mitsubishi Electric Corporation 등이 있습니다. 이 연구에는 글로벌 실리콘 카바이드 전력 반도체 시장에서 이러한 주요 업체들의 상세한 경쟁 분석, 회사 프로필, 최근 개발 및 주요 시장 전략이 포함됩니다.